Структура полупроводникового диода

Структура полупроводникового диода схематично представлена на рис.1.

            В структуре диода могут быть выделены квазинейтральные р- и п-области, а также область пространственного заряда (ОПЗ) —  р — п-перехода толщиной .

            Более сильно легированная квазинейтральная область называется эмиттером (Э), менее сильно легированная — базой (Б). На рис.1 эмиттером является р-область.

            Напряжение на диоде  складывается из напряжения на р — п-переходе  и напряжений на квазинейтральных областях  и .

2. Вольт-амперная характеристика идеального полупроводникового диода

            ВАХ идеального диода получена при следующих допущениях:

            1) Линии тока перпендикулярны плоскости р — п-перехода (структура одномерна).

            2) Эмиттер и база легированы однородно .

            3) Уровни инжекции в эмиттере и базе остаются низкими (; ).

            4) Токи неосновных носителей в эмиттере и базе являются диффузионными.

            5) Токи рекомбинации и генерации носителей заряда в ОПЗ отсутствуют.

            6) Падения напряжения на сопротивлениях квазинейтральных областей эмиттера и базы пренебрежимо малы ().

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector