Термическое окисление в сухом кислороде. Рост маскирующего оксида

Термическое окисление в сухом кислороде. Рост маскирующего оксида.

Фотолитография: нанесение фоторезиста, совмещение шаблона, экспонирование, проявление, смывка фоторезиста, травление оксида (5% раствор HF). Шаблон негативный, фоторезист позитивный.


Легирование области скрытого слоя методами диффузии. Лигатор (диффузант) – мышьяк, лигатурный состав – растворы арсенидов.

Смывка оксида (10% раствор HF).

Термический отжиг (10 минут при T=1100˚C) для рекристаллизации поверхности.

Эпитаксия слаболегированного коллекторного слоя (T=900˚C).

 

·         Создание боковой изоляции и противоканальных областей.

Осаждение маскирующего нитрида, либо другой термостойкой маски.

Фотолитография: нанесение фоторезиста, совмещение шаблона, экспонирование, проявление, смывка фоторезиста, травление маски. Шаблон негативный, фоторезист позитивный.

 

Глубокое ионное легирование: создание p+-противоканальных областей методами диффузии. Лигатор (диффузант) – бор, лигатурный состав – B2O3.

Отжиг противоканальных областей, совмещенных с глубоким термическим окислением незащищенных маской областей (1200-1250˚С, влажный, затем сухой кислород) для получения БДИ.

Снятие маски. Рекристаллизация поверхности после термического стресса на стадии глубокого окисления (1000˚С).

 

·         Создание базовой области.

Термическое окисление в сухом кислороде. Рост маскирующего оксида.

Фотолитография: нанесение фоторезиста, совмещение шаблона, экспонирование, проявление, смывка фоторезиста, травление оксида (5% раствор HF). Шаблон негативный, фоторезист позитивный.

Легирование области базы методами диффузии или ионного легирования. Лигатор – бор.

Смывка оксида (10% раствор HF).

 

·         Создание эмиттера и контакта к коллектору.

Термическое окисление в сухом кислороде. Рост тонкого демпферного оксида.

Легирование области эмиттера и коллекторного контакта методами ионного легирования для обеспечения четкости границ, в основном области эмиттера. Лигатор – фосфор.

Термический отжиг (10 минут при T=1100˚C) для рекристаллизации поверхности.

Смывка демпферного оксида (5% раствор HF, либо плазмохимическая очистка).

 

·         Формирование контактных  окон.

Термическое окисление в сухом кислороде. Рост поверхностного защитного оксида первого слоя.

Фотолитография: нанесение фоторезиста, совмещение шаблона, экспонирование, проявление, смывка фоторезиста, травление оксида (5% раствор HF). Шаблон негативный, фоторезист позитивный.

 

·         Формирование металлизации.

Нанесение металла: метод молекулярного осаждения из газовой фазы при температуре 750˚С и давлении 0.2 атм., мишень – алюминий, реакционный газ – 50% N2, 50% H2.

Фотолитография: нанесение фоторезиста, совмещение шаблона, экспонирование, проявление, смывка фоторезиста, травление алюминия (1% раствор H2SO4). Шаблон позитивный, фоторезист позитивный.

 

·         Пассивация поверхности.

Нанесение оксида методами эпитаксии. Методы термического окисления неприменимы из-за присутствия металлизации, которая разрушается при высоких температурах.

 


Ссылка на основную публикацию
Adblock detector