Энергетический спектр носителей заряда в периодическом потенциале. Теорема Блоха

1.     Энергетический спектр носителей заряда в периодическом потенциале. Теорема Блоха.

2.      Заполнение зон. Классификация твердых тел на металлы, полупроводники и диэлектрики с точки зрения зонной теории.

3.      Эффективная масса. Дырки.

4.      Энергетический спектр полупроводников IV группы и соединений А3В5, sp3-гибридизация.

5.      Квантовая зонная теория и классическая кинетика объемных полупроводников.

6.      Основные представления мезоскопики.

7.      Метод огибающей.

8.      Типы гетероструктур.

9.      Квантовые ямы, проволоки и точки.

10.                  Технологические методы получения гетероструктур.

11.                  Уровни Ландау для двумерного электронного газа.

12.                  Гетеролазеры на межзонных переходах.

13.                  Униполярные лазеры на межподзонных переходах (каскадные).

14.                  Двухбарьерные структуры; резонансное туннелирование.

15.                  Двухямные структуры и сверхрешетки.

16.                  Примесные состояния в гетероструктурах.

17.                  Модулированное легирование; HEMT.

18.                  Резонансное туннелирование, двухбарьерный резонансно-туннельный диод.

19.                  Режимы генерации в резонансно-туннельных диодах.

20.                  Блоховские осцилляции.

21.                  Целочисленный квантовый эффект Холла.

22.                  Дробный квантовый эффект Холла.

23.                  Физика процесса переноса заряда в ПЗС, многоканальные ПЗС.

24.                  Оптоэлектронные дефлекторы на основе управляемой неоднородной инжекции в полупроводниковых лазерах.

25.                  Монолитные линейки лазеров с малой угловой расходимостью пучка.

26.                  Кулоновская блокада и одноэлектроника.

27.                  Одноэлектронный транзистор.

28.                  Элементы памяти на основе одноэлектронных переходов.

29.                  Оптоэлектронный элемент памяти.

30.                  Гетеропереходный резонансно-туннельный транзистор.

31.                  Умножитель частоты на основе резонансно-туннельных- эффектов.

32.                  Мультистабильная память на основе резонансно-туннельных эффектов.

33.                  Электростатический аналог эффекта Аронова–Бома. Квантовый интерференционный полевой транзистор.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector