Рисунок резистной маски повторяется в металлических и изолирующих пленках

Рисунок резистной маски повторяется в металлических и изолирующих пленках вытравливанием ненужных областей. Рисунок на металлической пленке может быть также получен методом взрывной (обратной) литографии. Таким образом, последовательность указанных операций позволяет создавать в кремнии сложные электронные схемы.

Основная операция литографического процесса это перенос изображения на пленку фоторезиста с помощью фотошаблона на установках пошагового экспонирования и совмещения (степпер). При этом на пластину переносится изображение, точно соответствующее рисунка фотошаблона, который должен быть чистым и бездефектным.

Фотошаблон – это устройство (фотомаска), несущее информацию о конфигурации и размерах того или иного слоя интегральной микросхемы.

Фотошаблон (ФШ) можно изготовить из любого прозрачного для излучения материала, создав в нем непрозрачные участки в соответствии с конфигурацией требуемого рисунка интегральной микросхемы. Ввиду специфических особенностей и требований ФШ изготавливают из пластин оптического стекла, как правило, из синтетический кварца. ФШ для электронной и рентгеновской литографий могут изготавливаться из других материалов Непрозрачные участки ФШ формируются из металлических пленок, например хром. Фактически фотошаблон является модулятором светового потока.

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector