формирование слоя окисла кремния

–- кремниевая пластина n-типа;

2 – формирование слоя окисла кремния SiO2;

3 – нанесение фоторезиста;

4 – экспонирование и проявление фоторезиста (формирование фоторезистивной маски);

5 – травление окисла кремния SiO2 в области базы;

6 – удаление фоторезистивной маски;

7 – создание с помощью процессов легирования (диффузии) базовой области транзистора р-типа проводимости;

8 – повторное окисление поверхность кремниевых пластины;

9 – удаление окисла кремния SiO2 из области эмиттера транзистора;

10 – создание с помощью процессов легирования (диффузии) эмиттерной области n-типа;

11 – окисление поверхность кремниевых пластины;

12 – удаление окисла кремния SiO2 в контактных областях эмиттера и базы;

13 – создание с помощью напыления алюминиевых контактов;

14 – формирование проводящих выводов к контактам проводника.

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector