Если поверхность образца не контактирует с плазмой

Если поверхность образца не контактирует с плазмой, которая используется только как источник энергетических химически активных ионов, то такое травление называют реактивным ионно – лучевым (РИЛТ). В процессе РИЛТ поверхность материала подвергается воздействию молекулярных или атомарных ионов, которые кроме физического распыления в результате ударной диссоциации и нейтрализации образуют ХАЧ, вступающие в химические реакции с обрабатываемым материалом. Химические реакции могут как ускорять, так и замедлять процесс физического распыления.

ПТ и РИПТ происходят в плазме химически активных газов, и в них поверхность обрабатываемого материала подвергается воздействию одинакового набора частиц: ионов, электронов, свободных атомов и радикалов, а также излучения. Поэтому очень важно уметь разделять эти процессы. В качестве условной границы разделения процессов ПТ и РИПТ используется значение энергии ионов Еи, бомбардирующих поверхность образца. Если Еи < 100 эВ, то травление является плазменным, если Еи >100 эВ — то РИПТ.

Поскольку большинство плазменных процессов травления различных функциональных слоев СБИС происходит с участием ХАЧ, то к рабочим газам, используемым в процессах травления предъявляется определенные требования:

1. возможность образования летучих и стабильных продуктов реакции при температуре процесса Тпр. В первом приближении летучесть продуктов реакции можно оценивать по температуре кипения Ткип. или испарения Тисп. продуктов реакции при нормальном давлении. Если Тпр. << Тисп. Травление материала химически активными частицами невозможно, т.к. в результате реакции на поверхности материала образуется нелетучее соединение, которое маскирует материал;

2. обеспечение при разложении в плазме газового разряда максимального выхода энергетических и химически активных частиц, способных взаимодействовать с обрабатываемым материалом;

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector