Под процессом плазмохимического травления понимают удаление поверхностных атомов

 

Под процессом плазмохимического травления понимают удаление поверхностных атомов или молекул материала в низкотемпературной газовой плазме (НГП).

В неизотермической НГП низкого давления происходят возбуждение и ионизация молекул рабочего газа, а также диссоциация молекул на свободные атомы и радикалы. В принципе любая из этих частиц – возбужденная молекула, ион, свободный атом или радикал – может выполнять роль ХАЧ, участвующей в реакции. Поскольку энергия электронов значительно превышает энергию тяжелых частиц, скорости процессов диссоциации и ионизации, имеющих большие пороговые энергии, определяются главным образом электронным ударом.

В общем случае механизм ПХТ можно представить следующим образом:

1. доставка молекул газа в зону разряда;

2. превращение молекул газа в ионы и ХАЧ под воздействием электронного удара;

3. доставка ионов и ХАЧ к поверхности материала, подвергаемого травлению;

4. адсорбция ионов и ХАЧ на поверхности материала;

5. химические реакции ХАЧ  и физическое взаимодействие ионов с поверхностными атомами и молекулами;

6. десорбция продуктов реакции с поверхности материала;

7. отвод продуктов реакции из реактора.

По физико – химическому механизму взаимодействия частиц НГП с поверхностью обрабатываемого материала процессы травления можно разделить на три группы:

1. Ионное травление (ИТ), при котором поверхностные слои материалов удаляются только в результате физического распыления. Распыление осуществляется энергетическими ионами газов, химически не реагирующими с обрабатываемым материалом (обычно ионами инертных газов). Под энергетическими ионами и атомами понимаются частицы с энергией в диапазоне

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector