Модель баллистического осаждения

Недостатком алгоритма продвижения струны при моделировании процесса осаждения является предположение об однородности осаждаемой пленки, отсутствие информации о микроструктуре пленки, ее плотности на различных участках рельефа. При переходе к субмикронным размерам элементов эта информация становится существенной, т.к. именно эти характеристики во многом определяют минимальные воспроизводимые топологические размеры и допустимый перепад высот  в рельефе.

            В программе SIMBAD  был использован метод баллистического осаждения, который позволяет рассчитывать покрытия и поверхностные рельефы на разных стадиях роста пленки, предсказывать толщину пленки и ее микроструктуру. Метод баллистического осаждения представляет рост пленки как вероятностный процесс осаждения на поверхность подложки двумерных частиц в форме твердых дисков. Эти диски «приземляются» на поверхность подложки по линейной траектории. Считается, что отражение дисков от поверхности отсутствует. Траектория каждого диска представляет собой усредненный путь, проходимый достаточно большой группой атомов или молекул, движущихся по сходным индивидуальным траекториям.  Таким образом, процесс осаждения одного диска равносилен осаждению не индивидуального атома, а целой группы. В этом отличие метода баллистического осаждения от моделирования методом Монте-Карло, при котором рассчитывается вероятностная траектория отдельной частицы. Для рельефа с субмикронными размерами требуется рассчитывать не менее 30 тысяч таких

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector