Эффект каналирования.

Эффект каналирования. В рассмотренных теориях предполагалось, что мишени являются аморфными. Вследствие кристаллической природы полупроводников ионы могут проникнуть в них значительно глубже, если имплантация производится вдоль главной кристаллической оси или плоскости, поскольку в этом случае ионы редко сближаются с атомами настолько близко, чтобы были существенными ядерные потери при столкновениях. Таким образом, вместо комбинации ядерного и электронного торможений имеет место торможение только электронное. Вследствие этого пробег пропорционален скорости иона, т.е. корню квадратному из энергии.

Критический угол каналирования – максимальный угол захвата ионов в канал при имплантации в кристаллическую подложку.

Ψкрит =  а – параметр экранирования порядка радиуса Бора, d – расстояние между атомами вдоль канала, Z1, Z2 – атомный номер иона и атома мишени, Е – энергия иона.

 

Рисунок 2.2  Схематическое представление эффекта каналирования

Критические углы каналирования для основных типов примеси составляют в среднем от 2 до 4 градусов. Значения критических углов для некоторых примесей приведены в Таблице 2.2.

            Таблица 2.2 Критические углы каналирования в кремнии

 

 

Рисунок 2.3 Зависимость эффекта каналирования от угла поворота пучка.


 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector