Считается, что в процессе диффузии участвуют не только атомы примеси,

Считается, что в процессе диффузии участвуют не только атомы примеси, но и дефекты кристаллической решетки, которые также диффундируют вместе с примесью в составе связанных комплексов. И атомы примеси, и дефекты могут находиться в различных зарядовых состояниях. Кроме образования и распада связанных комплексов дефект – примесь система уравнений, описывающих процесс диффузии, должна включать реакции ионизации, как атомов примеси, так и дефектов, ионизацию связанных комплексов и взаимодействие дефектов между собой, а также связанных комплексов с дефектами противоположного типа. Уравнения, описывающие перечисленные процессы, должны быть включены в полную модель диффузионного процесса наряду с уравнением диффузии и уравнением непрерывности. 

Рассмотрим упрощенный случай, когда в процессе диффузии участвует только одна примесь, и попробуем на этом примере прейти от теоретических предпосылок, рассмотренных в предыдущем разделе, к практике численного моделирования. Безусловно, более реальным в производстве является процесс с участием двух или более примесей.

Обозначим A – атом примеси, находящийся в узле решетки, (замещающий атом), B — атом примеси, находящийся в междоузлии, V – вакансия, I – междоузлие, i, j, k, l – зарядовые состояния, причем будем считать, что

 

Запишем основные реакции, которые учитываются в модели связанной диффузии (12 уравнений):

— образование/распад пар дефект – примесь с

 

— генерация-рекомбинация Френкелевских пар с захватом или вы

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector