Чтобы правильно ориентироваться при описании процесса ионной имплантации,

Чтобы правильно ориентироваться при описании процесса ионной имплантации, необходимо учитывать наличие трех систем координат и уметь связывать эти системы координат между собой.

Первая система координат – это система, привязанная к реальной установке ионной имплантации. В этой системе координат ионный пучок всегда направлен вдоль оси –Z.

Вторая система координат – это система, привязанная к подложке. В этой системе всегда ось X направлена вдоль базового среза пластины, ось Z – перпендикулярно поверхности подложки. Ось Y образует с заданными осями X и Z правую тройку (рисунок 3.1).

Третья система координат – это система, построенная непосредственно для проведения вычислений и моделирования либо двумерного сечения в двумерных задачах, либо трехмерного кристалла в трехмерных задачах.

 

      Рисунок 3.1 Система координат подложки

Положение пластины в установке ионной имплантации и связь первой и второй координатных систем определяется параметрами Tilt и Rotation. На рисунке 3.2, а показано положение пластины, при котором системы координат имплантера и подложки совмещены, т.е. Tilt = 0 и Rotation = 0.

В задачах двумерного моделирования при построении двумерного сечения третья система координат определяется через положение секущей в системе координат подложки. Положение секущей задается координатами начала (x0, y0) и конца (x1, y1) вектора секущей на поверхности подложки в операторе Cutline (x0, y0, x1, y1). На рисунке 3.2,а показано положение секущей, описываемой координатами Cutline (0, 0, 1, 0). На рисунке 3.2, б приведено соответствующее данному положению секущей двумерное сечение и система координат для его моделирования в программе Dios.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector