Основные типы МДП структур, используемых для контроля и исследований

На рис.5.14 схематично представлено поперечное сечение части контрольной пластины p-типа проводимости с тестовыми МДП структурами, используемыми для контроля параметров диэлектрика и приповерхностного слоя кремния под полевым электродом. Полевые электроды выполняются из металла, например, алюминия, используемого для создания затворов МДП транзисторов и первого уровня разводки.

На рис.5.15 схематично представлено поперечное сечение части контрольной пластины n-типа проводимости с тестовыми МДП структурами, используемыми для контроля параметров подзатворного диэлектрика и приповерхностного слоя кремния под полевым электродом. Полевые электроды выполняются из поликристаллического кремния (или металла), используемого для создания затворов МДП транзисторов. Для того, чтобы избежать закороток материала затвора на подложку после травления поликристаллического кремния, подзатворный диэлектрик, например, тонкая двуокись кремния, создается в окне в толстой полевой двуокиси кремния, а затвор выходит своими краями на ее поверхность.

Такие МДП структуры используются для аттестационного контроля технологических процессов создания затворных систем, в частности, окисления под затвор, должны использоваться контрольные пластины с МДП структурами с площадью полевого электрода от 1*10-5 см2 до 1*10-2 см2. МДП структура должна имитировать структуру реального МДП-транзистора, то есть тонкий подзатворный диэлектрик должен создаваться в окнах в достаточно толстом локальном диоксиде кремния. Полевой электрод должен частично выходить на толстый диэлектрик, что позволит уменьшить влияние краевых эффектов, а в некоторых случаях исследовать влияние заряда в окисле по краям подзатворной области на надежностные характеристики затворных систем. В качестве материала полевого электрода желательно использовать материал затворов МДП-транзисторов, в частности, поликристаллический кремний.

На рис.5.16 схематично представлено поперечное сечение части рабочей пластины с тестовой МДП структурой, расположенной в тестовой ячейке или тестовом модуле на межкристальной дорожке. Поскольку на рабочих пластинах КМОП интегральных схем верхний слой кремния может быть не изотипен подложке, то к нему создается верхний омический контакт через окно в толстой полевой двуокиси кремния.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector