Режим потенциального контраста

Чаще всего при работе с РЭМ используют режим медленных истинно вторичных электронов, для чего на сетку детектора подают положительный потенциал ~250 В (см. рис.11,б). Изображение в режиме вторичных электронов объемно  и более привычно для человеческого глаза, содержит полутона, имеет больше деталей. Именно в этом режиме реализуется важное преимущество РЭМ перед оптическим микроскопом — на несколько порядков бóльшая глубина фокуса, так как вторичные электроны удается «вытащить» даже из узких и глубоких щелей и отверстий. В световом микроскопе существует жесткое соответствие между плоскостями объекта и изображения. Это и ограничивает глубину фокуса. В РЭМ сигнал соответствует полной эмиссии электронов с «точки» объекта.

3) Режим потенциального контраста

В режиме вторичных электронов с помощью РЭМ можно наблюдать и измерять электрические поля на поверхности образца. Эта возможность основана на явлении отклонения вторичных электронов под действием электрического поля на поверхности (например, в pn-переходе). Фиксируя распределение вторичных электронов с помощью детектора, можно определить величину потенциала на поверхности, вызвавшего изменение распределения, которое было в отсутствие электрического поля в образце. Для этой цели можно использовать линзу-фильтр на коллекторе, пропускающую электроны с энергией, большей некоторой пороговой. Таким способом можно измерить зависимость тока, прошедшего через фильтр, от напряжения задержки. По сдвигу кривых находят изменение локального потенциала с точностью до 0,1 В. Геометрическое разрешение метода ограничено размерами области, из которой выходят вторичные электроны, и составляет доли микрометра. Этот метод применяют для определения электрического потенциала элементов БИС, обнаружения обрывов проводящих элементов в структурах ИС и т.д.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector