Переходные процессы в биполярных схемах

Как было сказано ранее, что одной из основных характеристик ИС является быстродействие, которое определяется временем задержки переключения схемы относительно входного импульса (см. рис.4.3). Далее для простоты время задержки будем записывать короче: .

     Известны два основных способа экспериментального определения .

     1. Метод внешнего генератора. Составляется схема из трех идентичных ЛЭ (рис.8.1,а). Первый элемент преобразует внешний импульс от генератора в квазиреальный входной Uвх, второй элемент преобразует входной импульс в выходной Uвых, третий элемент служит нагрузкой.

     Более точное значение времени задержки можно получить при помощи модифицированной схемы рис.8.1,б, позволяющей учесть разброс параметров элементов: чем больше элементов в цепочке n, тем точнее результат

        Теоретический расчет быстродействия ИС осуществляется при помощи программ анализа переходных процессов на ЭВМ, использующих точные и сложные эквивалентные схемы активных и пассивных приборов.

     Для понимания связи между быстродействием и параметрами схемы нужно уметь проводить математический анализ динамики работы логического элемента, выявлять параметры, наиболее сильно влияющие на быстродействие. Рассчитать величину  для любой схемы с помощью одной формулы невозможно: слишком сложные будут модели и уравнения. Поэтому известно несколько общепринятых приемов, упрощающих анализ:

1)     на входе идеальный источник сигналов;

2)     переходный процесс разбиваем на этапы, интервалы, последовательность переключений. Этапы считают независимыми, результаты суммируют;

3)     все емкости в узлах усредняют. Анализируют худший случай, берут максимальные значения емкостей;

4)     отдельно анализируют процессы на барьерных и диффузионных емкостях транзисторов.

 

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector