Приведем некоторые примеры компоновки фрагментов ИБТ

Приведем некоторые примеры компоновки фрагментов ИБТ для реализации конкретных задач изменения параметров модели транзистора и/или формирования исходных предпосылок для построения оптимального прибора в определенных схемных применениях.

       Увеличение . В пособии [4] была проиллюстрирована связь формы и ориентации топологии биполярного транзистора с его коэффициентом усиления N (см. § 8.2). Поэтому здесь мы не будем еще раз рассматривать эти вопросы, а только отметим, что в дополнение к подбору параметров, проиллюстрированному в табл.9.1 и табл.9.2, можно увеличить коэффициент усиления расширением области базы и выбором правильной ориентации прибора.

       Уменьшение  Снизить инверсный коэффициент усиления иногда необходимо, например, в ТТЛ-схемах для снижения входного тока  и увеличения нагрузочной способности N1. Можно использовать несколько приемов и их комбинаций:

    1) удлиннение области базы, рис.9.5,а;

    2) введение дополнительных областей эмиттера, закороченных с областью базы, рис.9.5,б;

    3) введение в базу геттерирующих центров (например Au), снижающих время жизни неосновных носителей.

     Отметим, что при увеличении размеров области базы автоматически увеличивается и площадь коллектора, а это ведет к нежелательному росту барьерных емкостей СбК и СбП, росту сопротивлений тела базы и тела коллектора rБ  и rK.

     Топология ненасыщенного транзистора. Во избежание перехода транзистора в насыщенный режим необходимо прежде всего уменьшать сопротивление тела коллектора rK®0,  AK®min. Также характеристики транзистора улучшаются, если удается одновременно отслеживать следующие тенденции:

                                   

Очевидно, одновременное изменение перечисленных параметров требует предварительного схемотехнического анализа и параметрической оптимизации проектируемого узла схемы, чтобы выбрать правильное соотношение топологических и соответствующих электрофизических параметров.

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector