. Связь параметров и размеров ИБТ

Топологические размеры областей, а также толщины и концентрации слоев технологической структуры транзистора непосредственно связаны с параметрами модели прибора. Чем больше площади (объемы) фрагментов транзисторной структуры, тем больше барьерные емкости соответствующих р-n-переходов и сопротивления базы или коллектора.

     В модели биполярного транзистора наиболее важными являются параметры, обуславливающие его быстродействие и усилительные свойства.

     Для определения быстродействия важно знать сопротивления тела коллектора и базы (отдельно активной и пассивной части), барьерные емкости р-n-переходов (СбБЭ, СбБК), либо значения постоянных времени, связанных с барьерными емкостями только базы () или полностью характеризующих быстродействие транзистора ( ).

                                           

где   время, связанное с зарядом диффузионных емкостей,  время, связанное с зарядом барьерных емкостей,  время пролета носителей через базу,      время задержки в цепи коллектора.

      Усилительные свойства транзистора в его модели представлены коэффициентом передачи тока , прямо пропорционально зависящем от коэффициента инжекции   ( =×).

     В табл.9.1 показано, как необходимо изменять параметры структуры транзистора для уменьшения значений параметров, ответственных за быстродействие прибора.

 

Таблица 9.1. Возможность изменения схемотехнических параметров при изменении топологических и технологических параметров   биполярной структуры.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector