В толстом изолирующем окисле в ИС всегда существует технологически наведенный положительный заряд

      В биполярном транзисторе, кроме ограничений размеров областей и их взаимного расположения по принципам-проектирования, существует необходимость обязательного учета еще двух обстоятельств:

 уход диффузии под окисел. В процессе создания ИБТ используется несколько высокотемпературных процессов вследствие чего топологическая граница диффузионной области сдвигается под толстый маскирующий окисел на расстояние, примерно равное глубине р-n-перехода для диффузионных областей  и  для ионнолегированных областей (pис.9.3,а). Таким образом, минимальный размер диффузионной области, например, эмиттера, реально составляет  (2+2у). Чем выше уровень прецизионности технологического процесса, чем меньше толщина слоев в структуре, тем меньше и минимальные размеры транзисторов.

допустимые расстояния между однотипными областями (рис.9.3,б).

В толстом изолирующем окисле в ИС всегда существует технологически наведенный положительный заряд, который может сформировать проводящий канал между соседними n-областями, тогда возникает паразитный полевой транзистор. Возможно включение паразитного полевого транзистора и между соседними р-областями, если по изолирующему окислу проходит соединительная шина с потенциалом, способным создать у поверхности проводящий канал. В том случае, когда соседние диффузионные области расположены близко (на расстоянии, сравнимом с диффузионной длиной носителей) и находятся под разными потенциалами, возможно включение паразитных латеральных биполярных транзисторов. Также возможно смыкание областей пространственного заряда и связанное с этим поверхностное либо объемное шунтирование тока.

     Во избежание перечисленных паразитных эффектов рассчитывается

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector