Допустимые пересечения в топологии биполярных ИС

     Основные проблемы проектирования топологии интегральных биполярных схем описаны в пособии [4]. В данном пособии рассмотрим только некоторые  вопросы разработки топологии биполярных схем без конкретизации  технологических процессов.

     Из общих вопросов разработки топологии ИС [4] обратим внимание на сведения, касающиеся пересечений шин, расстояний между областями, связи конфигурации и параметров ИБТ, а также масштабирования структур ИБТ.

9.1. Допустимые пересечения в топологии биполярных ИС

     В биполярных ИС соединения осуществляются при помощи металлических проводников и сильнолегированных областей (n+) поверхности полупроводника (создание слоев поликремния в традиционных биполярных технологических маршрутах не предусмотрено). 

     Основные соединения в схеме выполняют алюминиевыми шинами, располагаемыми в два, три и более яруса в зависимости от возможностей технологии. В тех случаях, когда не хватает свободного места между активными и пассивными приборами схемы для линий межсоединений и нельзя добавить еще один слой разводки, приходится иногда вести соединительную шину поверх фрагментов ИС.

     Пересечения без ограничений:

     с резисторами. На рис.9.1,а эскизно показано выполнение пересечения Al шины с диффузионным резистором. Металлический проводник представляет собой распределенную RC-цепь. Сопротивление алюминиевых шин обычно невелико и составляет единицы — десятки Ом (Ом/ÿ), удельная емкость при толщине изолирующего диэлектрика  мкм составляет

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector