В противоположность процессам в МРИТ реакторах, процессы в ТСП реакторах

В противоположность процессам в МРИТ реакторах, процессы в ТСП реакторах (со смесями Ar/C4F8/C2F6) основаны преимущественно на защитном CxFy полимерном слое, который обеспечивает требуемую селективность. Эти процессы обеспечивают толстый полимерный слой, что показано с помощью электронной микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС). Роль полимеризации и взаимодействия с фоторезистом явно демонстрируется величиной селективности (5:1 или менее для открытых пластин и 20:1 в присутствии фоторезиста). Достижение селективности на углах структуры может быть более трудным из-за распыления защитного полимера на углах (см. рис.5.2). Процессное окно между остановкой травления и потерей селективности на углах может быть слишком мало, чтобы обеспечить достаточный перетрав. Кроме того, существенным является и температурный контроль. Вследствие низкого рабочего давления, диффузионная способность частиц является высокой, и выделение газа с различных поверхностей может оказывать серьезное влияние на процесс травления. Повышенная селективность к нитриду на углах структур в процессе травления самосовмещенных контактов (SAC) достигается при добавке водорода в основанную на C4F4 газовую смесь. Было показано, что угловая селективность коррелирует со смещением от С-С к С=С связям в полимерном слое, также как и с увеличением содержания С и эмиссии С2 в плазме, означая появление более обогащенного углеродом и более вязкого полимерного слоя. Толщина полимера при использовании водородсодержащих газовых смесей как для МРИТ реакторов так и для ТСП реакторов больше, чем для CxFy полимеров, формируемых без водорода. ТСП реакторы являются более предпочтительными для этих высоко полимерных применений, поскольку для этих реакторов тенденция к остановке травления в процессах травления окисла кремния может быть минимизирована, как выше уже упоминалось.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector