АНАЛИЗ ХАРАКТЕРНЫХ ПРОБЛЕМ СЕЛЕКТИВНОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ МИКРОСТРУКТУР

Традиционные комбинации газов для травления диэлектриков (например, CHF3/CE4) обычно используются для обеспечения селективности травления окисла по отношению к нижележащему кремнию. При необходимости остановить процесс травления окисла на нитриде или нитрида на окисле также разрабатываются специализированные газовые составы. При этом следует иметь в виду, что из-за емкостных ограничений в современных логических схемах стоп слой должен быть весьма тонким – в диапазоне от нескольких сотен ангстрем до 50 ангстрем. В целом, селективность может быть достигнута или путем использования газовой смеси, образующей полимер на нижележащем слое, или не образующей с нижележащим слоем летучих соединений. Процесс, основанный на осаждении полимера, должен быть тщательно настроен, чтобы избежать нежелательных воздействий на нижележащий слой в момент окончания процесса травления, когда скорость осаждения полимера превышает скорость его удаления.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector