Эквивалентная схема МДП-транзистора, моделирование межсоединений.

     Переходные процессы в МДП-схемах анализируют по той же методике, что и в биполярных ИС (ч.II, гл.8). Необходимо определить реактивные элементы в активных и пассивных элементах схемы, усреднить емкости, разделить схему на независимые фрагменты, рассчитать постоянные времени в каждом фрагменте и рассчитать суммарное время задержки. В подавляющем числе схем на МДП-транзисторах используются активные нагрузки, поэтому пассивные элементы в этих схемах – это сопротивления и емкости шин межсоединений.

12.1. Эквивалентная схема МДП-транзистора,

 моделирование межсоединений.

     На рис.12.1. показана эквивалентная схема n-МДПТ, в которой диоды исток-подложка и сток-подложка всегда обратно смещены и с ними связаны барьерные емкости этих областей СИП, ССП. В транзисторе всегда присутствуют емкости плоских конденсаторов СЗИ, СЗС, связанные с тем что при изготовлении транзистора после высокотемпературных процессов области истока и стока «расползаются», в том числе и в область канала под тонкий подзатворный диэлектрик, поэтому эти небольшие по площади емкости могут быть значительной величины из-за высокой удельной емкости

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector