Моделирование диода

, в правом нижнем углу окна постпроцессора открыто окно, показывающее текущие положения обоих курсоров. Переменной A1 соответствует положение первого курсора, переменной A2 – второго. Последняя переменная, diff, показывает отличия в показаниях курсоров A1 и A2. В столбцах расположены значения по оси X (в данном случае – время в наносекундах) и по оси Y (в данном случае – напряжение в вольтах).

Задержка по времени в большинстве случаев измеряется либо по уровню половины амплитуды питания, либо по уровням 0.1 и 0.9 амплитуды питания. Продемонстрируем измерение задержки между двумя сигналами по уровню половины амплитуды питания.

Для выполнения задачи необходимо установить курсор A1 в такое положение, чтобы во втором числовом столбце окна данных курсора появилось значение, равное 2,5 вольтам – половина амплитуды питания. Второй маркер установить в такое же положение, но по графику второй характеристики.

В строке, соответствующей разнице показаний маркеров во втором числовом столбце должно находиться число 0 (либо близкое к нему значение, в зависимости от того, насколько точно удалось позиционировать маркеры по значению половины амплитуды питания), а в первом числовом столбце – разница во времени (задеражка) между сигналами. В данном случае значение задержки равно примерно 746.333 пикосекундам (рисунок 2.13).

 

Рисунок 2.13. Вычисление задержки между сигналами.


2.5. Задания на лабораторную работу № 2.

 

Номер задания.

Схема.

Описание.

1.

Нарисовать схему в системе OrCAD 9.2, промоделировать по постоянному току. Задать имена ветвей, в постпроцессоре построить графики суммы и разности двух характеристик.

 

2.

Нарисовать схему в системе OrCAD 9.2, просожелировать переходные процессы в схеме. Взадать имена ветвей. В постпроцессоре построить характеристики, вычислить задержки между сигналами, построить характеристику, значение которой равно среднему значению разности двух сигналов.

 

 


Лабораторная работа № 3.

Моделирование полупроводниковых структур.

 

3.1. Введение.

 

Очень небольшое число схем сожержит описания только пассивных элементов: резистора, конденсатора, индуктивности. В основном такие схемы используются для демонстрации основ схемотехники, и в реальной жизни такие схемы практически не встречаются.

Все сложные современные схемы построениы на основе использования элементов, сожержащих полупроводниковые структуры: диоды и транзисторы.

В данном пособии по лабораторным работам не излагаются основы работы полупроводниковых структур – это задача другой дисциплины, здесь будут изложены основные шаги по их моделированию и построению характеристик.

 

3.2. Моделирование диода.

 

Для моделирования схемы диода необходимо создать новый проект (создание проекта было подробно рассмотрено в предыдущей лабораторной работе).

Для моделирования характеристик диода необходимо подать на анод диода некоторое напряжение. Учитывая, что пороговое напряжение полупроводниковых структур с использованием моделей по-умолчанию составляет порядка 0.6-0.8 вольт, а дальнейшая характеристика аппроксимируется экспонентой, будем варьировать напряжение на источнике питания от значения в 0 вольт до значения в 2 вольта. Именно на этот диапазон напряжений попадает характерная точка – пороговое напряжение, демонстрация которой и является целью данной части лабораторной работы.

 

Элемент, соответствующий диоду в системе OrCAD 9.2, называется Dbreakи расположен в библиотеке BREAKOUT.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector