Классификация микроэлектронных изделий

1.      Классификация микроэлектронных изделий по технологии изготовления, схемотехнической реализации, функциональному назначению и степени интеграции.

2.      Этапы проектирования интегральных микросхем.

3.      Основные параметры ИС: функциональные, режимные и технико-экономические.

4.      Измеряемые статические и динамические параметры цифровых ИМС и их определения.

5.      Статические и динамические характеристики ИМС, определение рабочих точек и параметров.

6.      Технологический маршрут формирования биполярных ИС.

7.      Эквивалентная схема Эберса-Молла npn биполярного транзистора. Режимы работы транзистора. Уравнения токов.

8.      Эквивалентные схемы Эберса-Молла горизонтального и вертикального биполярных транзисторов pnp типа. Уравнения токов.

9.      Идеальный диод. Разновидности структур диодного включения интегрального биполярного транзистора. Эквивалентная схема реального диода. Аппроксимация ВАХ.

10.Интегральные структуры резисторов. Эквивалентная модель. Расчет сопротивления.

11.Интегральные структуры конденсаторов. Эквивалентные схемы. Расчет емкости.

12.Разновидности полевых транзисторов. Их условные обозначения, структуры и проходная характеристика.

13.Физические параметры полевого транзистора. Эквивалентная схема и уравнения ВАХ.

14.Этапы формирования самосовмещенной структуры КМДП транзистора с Si* затвором.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector