Методы изоляции элементов в полупроводниковых микросхемах

24.  Методы изоляции элементов в полупроводниковых микросхемах.

25.  Способы образования соединений. Микросварные соединения. Технологические особенности, напряженно-деформированное состояние и факторы прочности.

26.  Основные способы отвода тепла от аппаратуры.

27.  Технологические операции в производстве печатных плат. Технологии получения электропроводящих покрытий. Технологии получения конфигурации элементов печатных плат. Особенности применения Еухого пленочного фоторезистора. 

28.  МДП-транзистор с индуцированным каналом. Конструкция. Статические параметры и ВАХ.

29.  Специфика проектирования коммутационных систем. Интегрированные технологии сборки в обеспечении быстродействия и минимизации паразитных связей.

30.  Эпитаксиально-планарная технология изготовления полупроводниковых микросхем.

31.  Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом. Конструкция, статические параметры и ВАХ.

32.  Герметизация электронных устройств и их конструктивов в корпусах. Контроль герметичности.

 

33.  Конструктивно-технологические особенности пассивных компонентов. Постоянные и переменные R, C и L – компоненты, наборы резисторов, пьезоэлектрические и прочие компоненты. Технология монтажа.

34.  Показатели конструкции ЭВС. Требования, предъявляемые к конструкции ЭВС.

35.  Полупроводниковые конденсаторы микросхем.

36.  Бескорпусная защита электронных устройств от внешних воздействий. Материалы, основные технологии.

 

37.  Коммутационные системы микросборок и ячеек, конструктивные типы многослойных жестких и гибких плат-оснований и технология их производства.

38.  Способы защиты аппаратуры от влажностных воздействий, воздействий пыли.

39.  Варианты конструкций МДП -транзисторов в микросхемах.

40.  Методы микроконтактирования при монтаже ЭС. Сравнительная характеристика.

41.  Многокристальные модули в конструктиве 2D и 3D.

42.  Компоненты ЭВС. Формы выводов корпусов компонентов, достоинства и недостатки разных форм выводов.

43.  Конструкция эпитаксиально-планарного биполярного транзистора.

44.  Жидкокристаллические индикаторы. Примеры конструкций, материалы, основные этапы изготовления

45.  Конструкции и технология производства МКМ без сварных и паяных соединений. Профильно-рельефные конструкции.

46.  Функционально-узловой принцип конструирования. Понятие технологичности.

47.  Печатные платы. Назначение, разновидности элементов, конструкторско-технологические варианты реализации. Материалы печатных плат.

48.  Варианты конструкций биполярных транзисторов полупроводниковых микросхем.

49.  Технологические способы пайки. Автоматизация процессов. Бесфлюсовая пайка. Контроль качества.

50.  Конструкция модуля 3-го уровня, правила компоновки шкафных стоек.

51.  Цели и задачи математического моделирования технологических процессов. Виды описаний и возможности математического моделирования. Общая модель описания технологической операции.

52.  МДП-транзистор. Конструкция. Принцип действия.

61. Паяные соединения. Физические основы пайки.

62. Классификация конструкторских документов. Текстовые и графические КД.

63. Характеристика типов производств в зависимости от объемов выпуска продукции. Основные показатели типов производств. Технологическая документация (ТД). Назначение, разновидности и содержание основных ТД. Назначение конструкторской документации.

64. Эффект поля в полупроводнике.

65. Подготовка кристаллов ИМС к сборке. Разделение полупроводниковых пластин на кристаллы.

66. Факторы, входящие в группу механических воздействий.

67. Конструкция как колебательная система. Определение собственной частоты колебаний.

68. Статистическая обработка результатов наблюдений или измерений.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector