Комплексная микроминиатюризация электронной аппаратуры

1.     Комплексная микроминиатюризация электронной аппаратуры. Уровни функционально-конструктивной сложности.

2.     Вольт-амперная характеристика р-n перехода. и реального диода.

3.     Средства стабилизации параметров внутрикорпусной среды.

4.     Металлооксидные резисторы. Специфика изготовления и применения.

5.     Микрокорпуса с выводами и безвыводные  кристаллоносители.

6.     Основные технологии печатных плат: субтрактивная, комбинированная позитивная и аддитивные технологии. Сравнительные характеристики и основные технологические этапы.

7.     Принцип действия усилительного прибора.

8.     Углеродистые и бороуглеродистые резисторы. Материалы и основные технологические этапы изготовления

9.     Интегрированные технологии сборки многовыводных СБИС в корпуса с полной матрицей выводов.

10. Модульный принцип проектирования.

11. Полевой транзистор с управлением pn переходом. Конструкция, статические параметры и ВАХ.

12. Тонкопленочные элементы микросхем.

13. Конструктивно-технологические методы обеспечения эффективного теплостока от кристаллов в МКМ.

14. Рельефная технология изготовления печатных плат. Изготовление многослойных печатных плат на слоистых пластиках, на полиимидных и керамических материалах. Сравнительная характеристика и основные технологические этапы.

15. Перспективность создания электронных устройств молекулярного уровня в том числе на основе биоматериалов, обеспечивающих организацию цепей электронного транспорта.

16. Режимы работы и схемы включения биполярного транзистора.

17. Конструктивные исполнения бескорпусной элементной базы. Компьютерно-интегрированные технологии проволочного микромонтажа и монтажа СБИС с организованными выводами в производстве ЭВС.

18. Климатические зоны. Факторы, входящие в группу климатических воздействий.

19. Узловая сборка. Варианты сборки ячеек ЭВС. Основные и подготовительные технологические операции сборки. Индивидуальная и автоматизированная сборка. Средства реализации и технологические среды.

20. Емкость pn перехода. Изготовление конденсаторов с оксидным диэлектриком.

21 Факторы группы радиационных воздействий. Воздействие радиации на конструктивы  и элементы ИС.

22.Симультанные способы пайки при традиционном и поверхностном монтаже. Средства реализации. Состав технологических линий, технологические среды и средства обеспечения качества монтажа ячеек ЭУ.

23. Диффузия в технологии МЭ.

24.  Статистические функции распределения носителей заряда в полупроводниках: Максвелла-Больцмана и Ферми-Дирака.

25.  Конструктивно-технологические особенности сборки и монтажа бескорпусных микросхем на гибких полиимидных носителях.

26.  Гибкие производственные системы (ГПС). Общие представления о ГПС, их основные характеристики (переналаживаемость, гибкость и др.), оценка гибкости и состав простейшей структурной единицы ГПС.

27.  Фотолитография. Состав операций, применение в технологии МЭ.

28.  Контакт металл — полупроводник. Энергетические диаграммы.

29.  Структурные схемы технологических процессов сборки микросхем и микросборок.

30.  Типовые ТП изготовления полупроводниковых микросхем с комбинированной изоляцией элементов.

Прямое и обратное смещение pn перехода. Вольтамперная характеристика

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector