Энергетические зон в кристаллических твердых телах, их образование.

1.      Энергетические зон в кристаллических твердых телах, их образование. Металлы, диэлектрики и полупроводники с точки зрения зонной теории.

2.      Типы носителей заряда в полупроводниках. Эффективная масса носителя заряда.

3.      Собственный полупроводник. Электронный и дырочный полупроводники.

4.      Примесный полупроводник. Доноры и акцепторы в германии и кремнии. Проводимость примесного полупроводника.

5.      Распределения Ферми и Больцмана, Вырожденный и невырожденный полупроводники. Энергия (уровень) Ферми.

6.      Концентрация носителей заряда в полупроводнике. Ее температурная зависимость.

7.      Подвижность носителей заряда в полупроводнике. Ее температурная зависимость.

8.      Удельная электропроводность (проводимость) полупроводника. Ее температурная зависимость.

9.      Зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника от температуры. Ее причины.

10.  Метод определения ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости электропроводности.

11.  Построить зависимость концентрации электронов от обратной температуры в кремнии, легированном фосфором с концентрацией 1e15 см-3.

12.  Построить зависимость концентрации электронов от обратной температуры в германии, легированном сурьмой с концентрацией 1e15 см-3.

13.  В каком полупроводнике в области собственной проводимости увеличение концентрации носителей с температурой происходит быстрее: в кремнии, германии или арсениде галлия и почему.

14.  Элементы каких групп периодической системы Менделеева являются донорами, а каких – акцепторами в элементарных полупроводниках: кремнии и германии? Приведите примеры.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector