Генерация в обедненной области.

Генерация в обедненной области. В полупроводниках с низкой концентрацией доноров эффектами туннелирования и снижения высоты барьера можно пренебречь. В таких контактах увеличение обратного тока, как и в pnпереходе, связано с генерацией электронно-дырочных пар в обедненной области. Ток генерации пропорционален толщине обедненной области, поэтому Iг ~ (φк + |U|)1/2. Ток генерации имеет большое значение в полупроводниках  с большой высотой барьера, малым временем жизни, а также при низких температурах. В диодах на  GaAs ток Iг  является главным компонентом обратного тока.

Влияние поверхностных состояний на  высоту барьера Шотки

       Экспериментально обнаружено следующее: зависимость высоты барьера Шотки от типа металла в реальных диодах слабая или совсем отсутствует, что противоречит уравнению (1). Это объясняется влиянием поверхностных электронных состояний, расположенных на границе полупроводника и туннельного тонкого (1 — 2 нм) диэлектрического слоя, который всегда присутствует на реальной поверхности полупроводника. Вследствие заполнения поверхностных состояний электронами вблизи поверхности возникает отрицательный заряд Qss. Этот заряд вызывает изгиб энергетических зон полупроводника еще до контакта с металлом. При этом поверхностные состояния, расположенные ниже уровня Ферми, заполнены электронами, расположенные выше, — свободны. При контакте полупроводника с металлом вследствие разности работ выхода в металле должен возникнуть заряд Qmи равный ему по величине заряд противоположного знака Qs в полупроводнике. Однако при большой плотности поверхностных состояний велик и заряд  Qss . Если его величина |Qss| >> |Qm|, |Qs|, , достаточно незначительного смещения уровня Ферми, чтобы скомпенсировать заряд в металле. Изгиб зон при этом практически не меняется.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector