Влияние промежуточного слоя

Влияние промежуточного слоя. Экспериментально наблюдаемые ВАХ показывают более сильную зависимость тока от напряжения. Это может быть обусловлено дополнительным понижением высоты барьера из-за наличия промежуточного слоя окисла (рис.4). Относительно толстый промежуточный слой возникает при изготовлении диодов Шотки в плохих вакуумных условиях или на загрязненной поверхности полупроводника. Он является причиной так называемых “мягких” обратных характеристик, когда ток значительно растет с увеличением обратного напряжения.

       Туннелирование. Другая существенная причина зависимости обратного тока от напряжения — туннельное прохождение электронов из металла в полупроводник. Поскольку в обратном направлении к контакту можно приложить существенно большие смещения, чем в прямом направлении, то уменьшение ширины барьера значительно и туннелирование может наблюдаться на материалах с меньшим легированием. При этом возможно туннелирование не только в верхней, более тонкой части барьера (термополевая эмиссия), но и при энергиях электронов, близких к энергиям Ферми (полевая эмиссия).

       Туннелирование также является одной из причин мягких обратных характеристик. При этом большое значение имеет область вблизи краев металлического контакта, где сгущаются силовые линии электрического поля. Рост поля в этой области приводит к утоньшению барьера и большему снижению высоты барьера под действием сил изображения. Краевые эффекты можно уменьшить с помощью специальной обработки и при использовании охранных колец [1].

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector