Туннелирование.

Туннелирование. С ростом концентрации доноров искривление зон у контакта увеличивается, а толщина барьерной области уменьшается. При концентрации Nд > 5∙1017 см-3 электроны уже могут проникать через верхнюю, наиболее тонкую часть барьера путем квантово-механического туннелирования. Внешне этот эффект проявляется так, как если бы высота барьера уменьшилась, а ток при данном смещении увеличился. Хотя ток при этом остается экспоненциальной функцией приложенного прямого напряжения, величина m  уже заметно больше единицы. Этот механизм известен как термополевая эмиссия. В прямом направлении туннелирование необходимо учитывать только для вырожденных полупроводников.

       Влияние последовательного сопротивления полупроводника. Для реальных диодов Шотки в области больших прямых токов необходимо учитывать падение части приложенного напряжения на последовательно включенном сопротивлении RS, обусловленном нейтральной областью полупроводника. В результате на барьерной области падает меньшее напряжение по сравнению с приложенным к внешним выводам прибора. При достаточно больших смещениях падение напряжения на объемном сопротивлении полупроводника начинает преобладать, и ВАХ диода спрямляется аналогично ВАХ pnперехода при токах выше тока вырождения.

       Инжекция дырок из металла в полупроводник наблюдается только при достаточно больших прямых смещениях (больших плотностях токов). Этот процесс можно не учитывать в полупроводниках с широкой запрещенной зоной и при достаточно больших концентрациях примеси.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector