Влияние промежуточного слоя

Влияние промежуточного слоя. Реальные диоды Шотки (за исключением диодов, изготовленных сколом полупроводника в сверхвысоком вакууме) имеют тонкий диэлектрический (обычно окисный) слой между металлом и полупроводником. Этот слой очень тонок (примерно 1 — 2 нм), поэтому электроны легко туннелируют через него. При наличии промежуточного слоя часть контактной разности потенциалов Uiпадает на зазоре, что приводит к понижению высоты барьера Шотки (рис.4,а): 

.

       Часть приложенного внешнего смещения также падает на зазоре, что определяет зависимость высоты барьера от напряжения: высота барьера возрастает при прямом смещении и убывает при обратном (рис.4,б).

       Влияние сил зеркального изображения (эффект Шотки). Вначале рассмотрим эффект Шотки на границе раздела металл-вакуум, а затем преобразуем полученные уравнения к эмиссии электронов из металла в полупроводник.

       На вылетевший из металла электрон, находящийся на расстоянии х от поверхности, действует сила притяжения к металлу. На границе раздела силовые линии электрического поля должны быть перпендикулярны поверхности металла, поскольку металл предполагается идеальным проводником. Поэтому силовые линии идут так, как если бы электрон с зарядом (–е) индуцировал на расстоянии () внутри металла свое “изображение”, т.е. заряд (+е) (рис.5,а). Потенциальная энергия электрона, обусловленная силами зеркального изображения, равна

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector