Классический электронный газ.

1.      Классический электронный газ.

2.      Квантовый электронный газ и его свойства.

3.      Распределение Ферми-Дирака. Уровень Ферми. Плотность квантовых состояний.

4.      Уравнение Шредингера для электронов в кристалле. Обратная решетка.

5.      Зоны Бриллюэна. Образование энергетических зон.

6.       Разрешенные и запрещенные энергетические зоны. Закон дисперсии.

7.      Металлы, диэлектрики и полупроводники с точки зрения зонной теории.

8.      Эффективная масса. Динамика электрона в кристалле.

9.      Понятие дырки. Зонная структура германия, кремния и арсенида галлия.

10.  Примесная проводимость полупроводников. Доноры и акцепторы.

11.  Влияние электрического поля на энергетический спектр электронов в кристалле. Плотность квантовых состояний для электронов и дырок.

12.  Равновесная концентрация электронов и дырок.

13.  Уравнение электронейтральности. Собственный невырожденный полупроводник.

14.  Примесный невырожденный полупроводник.

15.  Полупроводник, содержащий примеси двух сортов. Сильнолегированный полупроводник.

16.  Понятие столкновения. Механизмы рассеяния. Зависимость подвижности  от температуры.

17.  Дрейфовый и диффузионный токи. Соотношение Эйнштейна. Квазинейтральность.

18.  Рекомбинация электронов и дырок. Квазиуровни Ферми. Уравнения непрерывности.

19.  Механизмы рекомбинации. Прямая рекомбинация.

20.  Механизмы рекомбинации. Рекомбинация через ловушки.

21.  Основные уравнения, описывающие поведение электронов и дырок в полупроводниках. Максвелловское время релаксации.

22.  Биполярное уравнение и его решение.

23.  Эффект поля. Дебаева длина экранирования. Обогащение, обеднение, инверсия.

24.  Работа выхода электронов из кристалла. Контактная разность потенциалов.

25.  Контакт металл-полупроводник и его вольт-амперная характеристика.

26.  Условие образования и структура р-п перехода. Контактная разность потенциалов.

27.  р-п переход в неравновесном состоянии. Граничные условия Шокли.

28.  Вольт-амперная характеристика идеализированного р-п перехода. Природа теплового тока.

29.  Коэффициент инжекции идеализированного и реального pn переходов. Статическое и динамическое сопротивления р-n перехода.

30.  Влияние процессов рекомбинации-генерации на ВАХ р-п перехода.

31.  Пробой pn перехода. Лавинный пробой.

32.  Пробой pn перехода. Туннельный пробой.

33.  Тепловой пробой. Влияние сопротивления  и толщины базы на ВАХ р-п перехода.

34.  Влияние высокого уровня инжекции на ВАХ р-п перехода.

35.  Барьерная и диффузионная емкости р-п перехода. Малосигнальная эквивалентная схема  диода.

36.  Диоды Шоттки. Энергетическая диаграмма. Условия образования. Преимущества.

37.  Гетеропереходы.

38.  Биполярные транзисторы. Принцип и режимы работы. Диффузионные и дрейфовые транзисторы.

39.  Распределение электронов и дырок в транзисторе в различных режимах работы.

40.  Распределение токов в транзисторе. Эффект Эрли.

41.  Уравнения Эберса-Молла. Статические характеристики транзистора при включении с общей базой.

42.  Основные параметры транзистора. Коэффициент передачи.

43.   Реальные выходные характеристики транзистора при включении с ОБ. Эквивалентная схема.

44.  Статические характеристики транзистора при включении с общим эмиттером.

45.  Зависимость коэффициента передачи транзистора от тока эмиттера.

46.  Поверхностный потенциал. Обогащение, обеднение, слабая и сильная инверсия.

47.  Идеальная МДП-структура и её вольт-фарадная характеристика.

48.  Вольт-фарадная характеристика реальной МДП-структуры. Пороговое напряжение.

49.  МДП-транзистор. Принцип работы. Перекрытие канала.

50.  Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора. Основные параметры.

51.  Эквивалентная схема МДП-транзистора. Управление пороговым напряжением.

52.  Комплементарные МДП-транзисторы. Быстродействие МДП-транзистора.

53.  МДП-транзистор с коротким каналом.

54.  Приборы с зарядовой связью.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector