В полупроводниках носителями заряда являются электроны

Обычно к полупроводниковым материалам относят вещества, которые при комнатной температуре имеют удельное сопротивление р в пределах от   Ом*см. Вещества со значительно меньшим сопротивлением () причисляются к проводникам (металлам), а со значительно большим ( к непроводникам (диэлектрикам).

При нагревание абсолютно чистого и однородного полупроводника (собственного) свободные электроны и дырки всегда образуются парами. Число этих пар в стационарном режиме определяется равновесием между процессами термогенерации и рекомбинации носителей. Проводимость собственного полупроводника, обусловленную парными носителями теплового происхождения, называют собственной.

Проводимость, обусловленную наличием примесных атомов, нарушающих структуру кристаллической решётки, называют примесной.

В полупроводниках носителями заряда являются электроны и дырки. Отношение их концентраций определяет тип проводимости полупроводника. Если значительно преобладают электроны, то такой полупроводник называется полупроводником n-типа. Электроны, в этом случае, называются основными носителями заряда, а дырки — неосновными. Соответственно, если преобладают дырки, то полупроводник является полупроводником p-типа, дырки — основными носителями, а электроны неосновными.

Зонная структура:

 

2.Та как по классической теории радиус электрона , то при концентрации их  объем электронов составляет  объёма вещества.

Поскольку плотность тока есть заряд, проходящий в единицу времени через единичное сечение площадки, перпендикулярной направлению скорости движения электронов, то J=-env, где v— дрейфовая скорость. Движение носителей заряда под действием электрического поля иначе называется дрейфом носителей, а ток проводимости — током дрейфа iдр. Полный ток проводимости складывается из электронного и дырочного токов:
iдр= inдр+ ipдр

 

3.Электроны являются заряженными частицами. И при своём движении по твёрдому телу встречаются с другими электронами. И так как между электронами действуют силы отталкивания, то движение электрона оказывается зависимым от движения другого электрона. Поэтому для определения стационарных состояний и энергетического спектра совокупности большого числа атомных ядер и электронов в кристалле нужно решить уравнение Шрёдингера.  , где -гамильтониан кристалла, Ф – его волновая

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector