Фотолитография, являясь на сегодняшний день одной из наиболее часто и широко используемых в микроэлектронике

Фотолитография, являясь на сегодняшний день одной из наиболее часто и широко используемых в микроэлектронике операций, открывает широкие возможности для получения защитных масок с элементами субмикронного размера и в то же время представляет собой один из наиболее сложных, противоречивых процессов в производстве микроэлектронных компонентов. Несомненно, в связи с бурным развитием технологии вообще, и особенно с приближением к ее физическим границам, фотолитография претерпела значительные изменения, и многие исходные утверждения подверглись значительным корректировкам. Также необходимо отметить, что на данный момент только литография обеспечивает возможность массового производства ИС с минимальными критическими размерами[3].

Основной идеей любого из видов литографии является получение кислотостойкой двумерной защитной маски на поверхности какого-либо подслоя. Если эта маска будет обладать необходимой конфигурацией, то ее можно использовать как шаблон для локального воздействия на подслой в ходе следующей технологической операции. Такой операцией могут быть как операции травления подслоя, так и изменения его электрофизических свойств (диффузия, ионная имплантация) и даже нанесения на подслой следующего слоя (технология взрывной литографии). Для получения такой маски, а также для ее удаления используется целый ряд технических и технологических приемов. Удаление маски после локального воздействия на подслой и технологию таких воздействий, как правило, выделяют в отдельные технологические операции.

Требуемые размеры элементов в фоторезистивной маске (ФРМ) должны выполняться с учётом технологии последующих обработок ФРМ и технологической коррекции, которая учитывает уход размера в процессе переноса изображения и процессов травления и легирования через сформированную резистивную маску. В процессе травления и легирования технологическим трансформациям подвергается

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector