В файле предусмотрено включение интерактивной графики для отображения процесса формирования транзистора.

В файле предусмотрено включение интерактивной графики для отображения процесса формирования транзистора.

Сначала моделируется правая половина транзистора. Размеры структуры, координаты фотолитографических масок для моделирования выбираются в соответствии с разработанным эскизом прибора.

Кроме того, в файле предусмотрено отражение структуры относительно вертикальной оси при X=0. Таким образом создается полная структура.

В командном файле предусмотрено также сохранение данных для контроля толщин, глубин и концентраций областей в вертикальных сечениях затвора и стока. Кроме того, сохраняются распределения результирующей примеси в данных сечениях.

В конце двухмерная структура транзистора сохраняется в следующих файлах:

Одновременно с сохранением структуры создаются контакты ко всем четырем областям транзистора (истоку, затвору, стоку, подложке) для последующего расчета порогового напряжения прибора. Указывается координата точки внутри металлической области, и этой области присваивается наименование контакта (source). Информация о контактах сохраняется в файлах типа *mdr.*.

Результаты моделирования технологического процесса создания структуры n­МОП-транзистора представлены на рис.17.

Аналогично проводятся расчеты для p-МОП-транзистора. Результат моделирования технологического процесса показан на

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector