Структура и энергетическая диаграмма равновесного

1.      Структура и энергетическая диаграмма равновесного р-п перехода. Токи через переход в состоянии равновесия.

2.       Методика определения параметров р-п перехода. Расчет параметров ступенчатого перехода.

3.       Методика определения параметров р-п перехода. Расчет параметров линейного перехода.

4.       Энергетическая диаграмма неравновесного р-п перехода. Положения квазиуровней Ферми. Граничные условия для низкого уровня инжекции.

5.      Энергетическая диаграмма неравновесного р-п перехода. Положения квазиуровней Ферми. Граничные условия для высокого уровня инжекции.

6.      Зависимость ширины р-п перехода от напряжения. Барьерная емкость р-п перехода.

7.      Набор уравнений для анализа полупроводниковых приборов. Биполярное уравнение непрерывности — случаи низкого и высокого уровней инжекции.

8.      Модель и методика анализа ВАХ идеализированного диода.

9.      Решение уравнения непрерывности в базе полупроводникового диода. Распределение неосновных носителей заряда.

10.  ВАХ идеализированного диода. Температурный коэффициент напряжения.

11.  Тепловой ток полупроводникового диода и его температурная зависимость.

12.  Дифференциальное сопротивление идеализированного диода. Коэффициенты инжекции электронов и дырок, эффективность эмиттера.

13.   Ток термогенерации носителей заряда в области р-п перехода и его ВАХ (обратное смещение)

14.   Ток рекомбинации носителей заряда в области р-п перехода и его ВАХ (прямое смещение).

15.  ВАХ полупроводникового диода с тонкой базой при высоком уровне инжекции.

16.  Сравнение ВАХ идеального и реального кремниевых диодов.

17.  Сравнение ВАХ идеального кремниевого и германиевого диодов.

18.   Диффузионные емкости базы и эмиттера в полупроводниковом диоде. Эквивалентная схема диода.

19.   Лавинный и туннельный пробой р-п перехода.

20.   Лавинный и тепловой пробой р-п перехода.

21.   Переходный процесс включения полупроводникового диода.

22.   Переходный процесс выключения полупроводникового диода.

23.   Эффект поля в структуре МДП. Режимы обогащения, обеднения, инверсии. Энергетическая диаграмма идеальной МДП — структуры в режимах обеднения и инверсии.

24.  Вольтфарадная характеристика идеальной МДП-структуры.

25.  Вольтфарадная характеристика реальной МДП-структуры.

26.   Структура и принцип действия МДП — транзистора. Вид ВАХ.

27.   Расчет порогового напряжения МДП — транзистора и способы его регулировки.

28.   Влияние потенциала подложки на пороговое напряжение МДП — транзистора.

29.   ВАХ идеализированного МДП — транзистора (вывод).

30.   Основные свойства МДП — транзистора при включениях с общим затвором, общим истоком, общим стоком. Предельная частота идеализированного МДП — транзистора.

31.  Особенности ВАХ реального МДП — транзистора с длинным каналом (влияние неоднородности ОПЗ под затвором и потенциала подложки).

32.  Подпороговый ток МДП-транзистора и пороговое напряжение.

33.  Влияние длины канала на пороговое напряжение МДП — транзистора при коротком канале.

34.  Влияние ширины канала на пороговое напряжение МДП — транзистора при узком канале.

35.  Эффект смыкания в канале МДП — транзистора. Расчет напряжения смыкания.

36.  Эффект насыщения дрейфовой скорости носителей в канале МДП — транзистора; модуляция длины канала (качественно).

37.  Сравнение ВАХ длинноканального и короткоканального МДП-транзисторов.

38.  Эквивалентная схема реального МДП — транзистора для большого сигнала.

39.  Эквивалентная схема реального МДП — транзистора для малого сигнала.

40.  Особенности структуры современного МДП-транзистора.

 

 

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector