1.      Особенности применения процессов ПТ при создании трехмерных субмикронных микроструктур.

2.      Особенности травления диэлектрических слоев субмикронных микроструктур.

3.      Номенклатура специальных газов.

4.      Основные факторы при травлении в плазме элементов с малыми размерами и высоким аспектным соотношением.

5.      Основные механизмы снижения анизотропии и задержки РИТ

6.      Возможные повреждения микроструктур, присущие плазменным процессам.

7.      Требования, предъявляемые к системам металлизации ИС.

8.      Методы металлизации.

9.      Многослойная разводка ИС.

10.Использование силицидов металлов в системах металлизации ИС.

11.Назначение диффузии, способы диффузии.

12.Основные механизмы диффузии.

13.Законы Фика.

14.Порядок проведения операции диффузионного легирования.

15.Суть и назначение операции ионного легирования полупроводников

16.Преимущества и недостатки технологии ионного легирования.

17.Общие положения теории Линдхарда, Шарфа и Шиотта

18.Характерное распределение примеси при ионном легировании. Эффект каналирования.

19.Дефекты структуры в полупроводниках при ионном
легировании.

20.Принципиальная схема установки ионного легирования.

21. Суть и назначение процесса фотолитографии.

22. Понятие о контактной и проекционной фотолитографии.

23.Прямая и обратная фотолитография.

24.Позитивные и негативные фоторезисты.

25.Технологические операции фотолитографии.

26.Способы повышения разрешающей способности фотолитографии в субмикронной области.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector