Интегральный биполярный транзистор

1.      Интегральный биполярный транзистор. Особенности эпитаксиально-планарной структуры. Распределение примеси в структуре эпитаксиально-планарного транзистора.

2.      Технологический маршрут изготовления ИС на основе биполярных транзисторов.

3.      Методы изоляции интегральных полупроводниковых приборов. Объяснение необходимости использования областей охраны двух типов проводимости в интегральной КМОП структуре с p-карманом.

4.      Технология «ЛОКОС». Объяснить появление «птичьей головы» и «птичьего клюва».

5.      Интегральные МОП транзисторы. Выбор подложек для создания МОП структур.

6.      Технологический маршрут изготовления ИС на основе КМОП транзисторов.

7.      Функциональное назначение пленок SiO2 в ИС

8.      Физический механизм роста окисла при высокой
температуре.

9.      Модель Дила — Гроува

10. Физические параметры, влияющие на скорость окисления кремния.

11. Оборудование для проведения процессов окисления.

12. Методы Контроля Параметров Диэлектрических Слоев

13.  Методы получения диэлектрических пленок в технологии микроэлектроники

14.Методы самоформирования в микроэлектронике, «спейсер»

15. Методы самоформирования в микроэлектронике, «локальное замещение слоя».

16.Методы самоформирования в микроэлектронике, «модификация границ элементов».

17. Методы самоформирования в микроэлектронике, «модификация области структуры».

18. Базовые этапы создания ИМС

19.Процесс Чохральского для выращивания кристаллов кремния

20.Применение плазменных технологий в производстве УБИС, определение понятия «плазма».

21.Системы возбуждения ВЧ — разрядов

22. Закон Пашена.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector