Модели осаждения, построенные на геометрических алгоритмах

Модели осаждения, построенные на геометрических алгоритмах, например, алгоритме струны, считают осаждаемую пленку однородной и не учитывают ее микроструктуру (проиллюстрировать элементы алгоритма струны). При уменьшении размеров становятся важными такие параметры, как плотность осаждения и структура пленки.

Модель баллистического осаждения позволяет рассчитывать эти параметры, а также профиль осаждаемой пленки на разных этапах роста. Рост пленки моделируется как процесс случайного осаждения двухмерных твердых частиц в форме дисков. Траектория каждого диска – это усредненный путь большого количества осаждаемых атомов. Для рельефа с субмикронными размерами требуется рассчитывать не менее 30 тысяч таких траекторий. Проиллюстрировать осаждение пленки с микроструктурой на подложку с рельефом.

 

 

26 Основные этапы численного моделирования процесса литографии.

— Расчет интенсивности падающего света на поверхности пленки фоторезиста. Учитывается степень когерентности источника и функция пропускания интенсивности маской;

— Расчет интенсивности света по толщине пленки фоторезиста. Учитывается поглощение света в пленке, отражение от подложки, возникновение стоячих волн и химические изменения, происходящие в фоторезисте в процессе освещения, т.е. распределение интенсивности света в пленке зависит от времени: I=I(x,y,z,t);

— Расчет нормализованной концентрации ингибитора в пленке фоторезиста в зависимости от координат и времени. Учитывается коэффициент поглощения света ингибитором и скорость его распада;

— Расчет скорости травления в каждой точке пленки в зависимости от концентрации ингибитора, температуры и типа проявителя;

— Моделирование процесса проявления (растворения) фоторезиста с помощью алгоритма струны по рассчитанным значениям локальной скорости травления.

 

 

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector