Создание эмиттера и контакта к коллектору.

Термическое окисление в сухом кислороде. Рост маскирующего оксида.

Фотолитография: нанесение фоторезиста, совмещение шаблона, экспонирование, проявление, смывка фоторезиста, травление оксида (5% раствор HF). Шаблон негативный, фоторезист позитивный.

Легирование области базы методами диффузии или ионного легирования. Лигатор – бор.

Смывка оксида (10% раствор HF).

 

·         Создание эмиттера и контакта к коллектору.

Термическое окисление в сухом кислороде. Рост тонкого демпферного оксида.

Легирование области эмиттера и коллекторного контакта методами ионного легирования для обеспечения четкости границ, в основном области эмиттера. Лигатор – фосфор.

Термический отжиг (10 минут при T=1100˚C) для рекристаллизации поверхности.

Смывка демпферного оксида (5% раствор HF, либо плазмохимическая очистка).

 

·         Формирование контактных  окон.

Термическое окисление в сухом кислороде. Рост поверхностного защитного оксида первого слоя.

Фотолитография: нанесение фоторезиста, совмещение шаблона, экспонирование, проявление, смывка фоторезиста, травление оксида (5% раствор HF). Шаблон негативный, фоторезист позитивный.

 

·         Формирование металлизации.

Нанесение металла: метод молекулярного осаждения из газовой фазы при температуре 750˚С и давлении 0.2 атм., мишень – алюминий, реакционный газ – 50% N2, 50% H2.

Фотолитография: нанесение фоторезиста, совмещение шаблона, экспонирование, проявление, смывка фоторезиста, травление алюминия (1% раствор H2SO4). Шаблон позитивный, фоторезист позитивный.

 

·         Пассивация поверхности.

Нанесение оксида методами эпитаксии. Методы термического окисления неприменимы из-за присутствия металлизации, которая разрушается при высоких температурах.

 

2.1.Исходные данные

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector