Классификация процессов ХОГФ.

1.        Нанесение тонких пленок в вакууме. Основные стадии протекания процесса. Методы генерации потока частиц. Физика процесса нанесения тонких пленок в вакууме.

2.        Влияние вакуума на процесс нанесения тонких пленок.

3.        Нанесение пленок методом термического испарения. Физика процесса. Влияние операционных и конструкционных параметров на скорость и равномерность нанесения пленок.

4.        Метод испарения с использованием резистивного нагрева.

5.        Метод испарения  с использованием нагрева электронным лучом.

6.        Диодные (катодные) системы ионного распыления.

7.        Нанесение пленок методом ионного распыления. Физика процесса. Механизм ионного распыления.

8.        Физика процесса магнетронного распыления. Магнетронные системы ионного распыления.

9.        Высокочастотный и реактивный методы ионного распыления.

10.   Резонансно-частотный и резистивный методы контроля параметров тонких пленок.

11.   Стимулированное плазмой осаждение из газовой фазы. Механизм осаждения покрытий.

12.   Стимулированное плазмой осаждение диоксида кремния. Химия процесса. Влияние операционных параметров на свойства формируемых пленок.

13.   Стимулированное плазмой осаждение нитрида кремния. Химия процесса. Влияние операционных параметров на свойства формируемых пленок.

14.   Стимулированное плазмой осаждение вольфрама и его силицидов. Химия процесса осаждения.

15.   Стимулированное плазмой осаждение молибдена и его силицидов. Химия процесса осаждения.

16.   Основное уравнение вакуумной техники.

17.   Электротехническая модель ВЧЕ-разряда. Потенциал самосмещения, постоянный потенциал плазмы и среднее падение напряжения в слое у нагруженного потенциала.

18.   Методы диагностики плазмы.  Эмиссионнаяспектроскопия.

19.   Методы диагностики плазмы.  Оптическая актинометрия.

20.   Механизм протекания процессов ХОГФ. Кинетическая модель процесса ХОГФ. Маршруты протекания процессов ХОГФ.

21.   Классификация процессов ХОГФ. Технологические характеристики процессов ХОГФ функциональных слоев ИМС.

22.   Характеристики структуры после операции ХОГФ функционального слоя.

23.   Механизм процесса атомно-слоевого осаждения (АСО). Циклограмма процесса и правила выбора длительности стадий процесса АСО.

24.    Теоретический критерий, определяющий область протекания процесса ХОГФ. Критерий Тилле для планарного реактора.

Процессы ХОГФ, лимитируемые равновесием, кинетикой и диффузией

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector