Производственная среда.

1.1.          Предмет труда (исходные материалы) – полупроводниковые слои (используются пленки кремния).

1.2.          Средства труда – установки  с вертикальным реактором: УИЭС–1, УИЭС–2 УИЭС –2П–В (используются на этапе заготовительных операций).

1.3.          Продукт труда, полуфабрикаты – полупроводниковая ИМС, на которой в процессе эпитаксиального наращивания получают транзисторные структуры.

1.4.          Анализ технологического процесса.

Наиболее широко для образования эпитаксиальных слоев применяется хлоридный метод, при котором пленки кремния получают путем восстановления его тетрахлорида в среде водорода, причем полупроводниковую пластину подвергают предварительному травлению смеси HCL и H2. В процессе роста эпитаксиальных слоев легко достигается легиронание их примесями, которые подаются в реакционную камеру вместе с газами, несущими полупроводниковое соединение. При этом легирование осуществляется одним из следующих методов:

·        введением в реакционную камеру примеси отдельным газовым потоком. Так, в качестве донорных примесей вводят фосфин PH3,  арсин AsH3, а в качестве акцепторной примеси — диборан;

·        добавлением к жидкому четыреххлористому кремнию летучих примесей (PCL5 или SbCL5), которые, испаряясь вместе с ним, поступают в реакционную камеру.

Процесс образования эпитаксиальных слоев происходит в реакционной камере при температуре 1150 — 1300 оС. Разогрев реакционной камеры производится энергией токов ВЧ.

1.5.          Производственная среда.

Работа на установке эпитаксиального наращивания требует соблюдения комплекса мер безопасности. Для создания безопасных условий труда

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector