Поверхностное сопротивление

Изучение четырехзондового метода измерения поверхностного и удельного сопротивления полупроводниковых и металлических слоев.

Удельное сопротивление полупроводника является одним из важных электрофизических параметров, влияющих на характеристики полупроводниковых приборов. Четырехзондовый метод используется для измерения поверхностного и удельного сопротивления полупроводниковых и металлических слоев и полупроводниковых подложек.

1.    Поверхностное сопротивление

Удельная электропроводность s  определяется как коэффициент пропорциональности между плотностью тока  и напряженностью электрического поля  (закон Ома в дифференциальной форме). Величина, обратная удельной электропроводности – удельное сопротивление r.

.

(1)

Удельное сопротивление определяется концентрацией носителей заряда в проводящем материале и их подвижностью. Для полупроводника, содержащего носители обоих типов, удельное сопротивление можно вычислить по следующей формуле.

 

(2)

где e=1.602*10-19 Кл – абсолютное значение заряда электрона, n– концентрация электронов, p – концентрация дырок, — подвижность электронов,  — подвижность дырок.

В полупроводнике n-типа проводимости и в полупроводнике p-типа проводимости удельное сопротивление определяется по формулам (3) и (4), соответственно.

В невырожденных полупроводниках в области истощения мелкой донорной или акцепторной примеси можно считать, что n=NDи p=NA. И тогда формулы (3) и (4) можно записать следующим образом.

.

.

Сопротивление Rоднородно легированного полупроводникового образца в виде прямоугольного параллепипеда может быть определено, если известны удельное сопротивление материала , длина l, ширина wи толщина образца d (рис

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector