Схема распределения электрического поля

Деградация прибора, вызванная горячими носителями, приводит к уменьшению срока службы транзистора. Уменьшение электрического поля в канале в районе стока увеличивает надежность прибора. Для этой цели используются слаболегированные стоки (lightlydopeddrain, LDD). Целью использования слабого легирования стока является уменьшение пика электрического поля в районе стока. Заметим, что, как указывалось ранее, LDD используется и для подавления короткоканальных эффектов.

Сильное электрическое поле канала практически не проникает в сильнолегированную (> 1020 см-3)область стока и резко спадает на очень малых длинах экранирования (~1 нм). Если в районе стока внедрить небольшую слаболегированную область (~2×1015 см-3), то поле начнет спадать не так резко, увеличивая эффективную длину канала и, соответственно, уменьшая свои пиковые значения в конце канала (рис. 6.4).

 

 

 

 Схема распределения электрического поля вдоль канала, иллюстрирующая уменьшение пикового значения электрического поля в слаболегированном стоке

Эмпирически эффект снижения максимального электрического поля в конце канала при использовании слаболегированного участка стока часто описывают модифицированной формулой (6.2.4)

Как упоминалось выше, тонкие расширения стока улучшают также электростатические характеристики транзистора (см. п. 5.12). Конструктивно возможно создание МОПТ с полным (FullyOverlappedLightlyDopedDrainFOLD) или частичным (POLD) перекрытием затвором LDD– областей. Расчеты показывают, что оптимальной структурой, с точки зрения минимизации электрических полей, является расположение LDDобластей под затвором (структура FOLD).Недостатком использования LDD является некоторое увеличение последовательного сопротивления

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector