Для хорошо управляемого и воспроизводимого профиля травления необходимо во время процесса контролировать температуру подложки

Рабочее давление cryo процесса поддерживается на уровне 10 мТор. При таком давлении средняя длина свободного пробега ионов намного больше, чем толщина области пространственного заряда около электрода-подложкодержателя, что не оказывает существенного изменения траектории движения ионов от вертикали и, тем самым, не влияет на формируемый профиль. Высокие значения рабочих давлений при проведении cryo процесса оказывают  более отрицательный эффект на профиль, чем при использовании   ‘Bosch’ процесса.

Для хорошо управляемого и воспроизводимого профиля травления необходимо во время процесса контролировать температуру подложки. Она не должна быть ниже –130 °C, поскольку ее снижение приведет к конденсации SF6 на подложке, что способствует кристаллографическому ориентируемому травлению кремния. Это может привести как к отклонению профиля от вертикального вблизи дна структуры, так и к изменению формы круглых отверстий в квадратные. Точная регулировка электродной температуры может использоваться, чтобы делать маленькое урегулирование профиля структуры, но большее урегулирование должно быть сделано,  регулируя содержание кислорода процесса.

Большее влияние на формируемый профиль оказывает процентное содержание кислорода во время проведения травления.

Другая особенность ‘cryo‘ процесса, хорошо видная при  глубоком травлении, — изменение угла в верху структуры. Фаска более характерна для внешних углов, в то время как внутренние углы имеют более положительный профиль. Это связано с особенностями протекания процесса. Внешние углы бомбардируются ионами с углами падения, лежащими в более широком диапазоне, чем для внешних углов.

Энергия ионов и их плотность, управляемые соответственно, напряжением смещения на электроде-подложкодержателе и ВЧ-мощностью спирали ИСП реактора, являются главными факторами, воздействующими на маскирующее покрытие. Напряжение смещения на электроде, равное Uсм = 20 В может обеспечить селективность травления кремния относительно оксидной маски S= 750:1.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector