На современном этапе при производстве микроэлектромеханических систем

На современном этапе при производстве микроэлектромеханических систем (МЭМС) одной из важнейших технологических операций изготовления элементов является глубокое анизотропное травление кремния. Глубина формируемых структур лежит в диапазоне от 10 мкм до 500 мкм. Имеются несколько способов получения глубоких, вертикальных структур в кремнии. Наиболее популярными из них являются процесс, разработанный Робертом Бошом, (в дальнейшем «Bosch» процесс) и альтернативный ему — криопроцесс, использующий для охлаждения пластины жидкий азот.

Эти методы позволили заменить, используемые до недавнего времени, методы глубокого анизотропного жидкостного травления. В отличие от жидкостных анизотропных процессов «сухое» травление не чувствительно к кристаллографической ориентации кремния и может обеспечивать высокую селективность к материалу маски. Они также легко могут быть автоматизированы и являются значительно более безопасным, чем альтернативные жидкостные процессы. Эти методы нашли широкое применение при глубоком травлении кремния, которое можно объединить в три основные группы:

1.Травление кремниевых балок. В этом случае при формировании структур требуется удалять большое количество кремния. Эта технология может также использоваться для создания мембран или подвешенных структур при травлении кремниевых пластин.

         2. Поверхностная механическая микрообработка. Этот класс травления в первую очередь касается подложек кремния на изоляторе (SOI) или кремния на металле (SOM). Промежуточный слой (диэлектрик или металл)

На современном этапе при производстве микроэлектромеханических систем (МЭМС) одной из важнейших технологических операций изготовления элементов является глубокое анизотропное травление кремния. Глубина формируемых структур лежит в диапазоне от 10 мкм до 500 мкм. Имеются несколько способов получения глубоких, вертикальных структур в кремнии. Наиболее популярными из них являются процесс, разработанный Робертом Бошом, (в дальнейшем «Bosch» процесс) и альтернативный ему — криопроцесс, использующий для охлаждения пластины жидкий азот.

Эти методы позволили заменить, используемые до недавнего времени, методы глубокого анизотропного жидкостного травления. В отличие от жидкостных анизотропных процессов «сухое» травление не чувствительно к кристаллографической ориентации кремния и может обеспечивать высокую селективность к материалу маски. Они также легко могут быть автоматизированы и являются значительно более безопасным, чем альтернативные жидкостные процессы. Эти методы нашли широкое применение при глубоком травлении кремния, которое можно объединить в три основные группы:

1.Травление кремниевых балок. В этом случае при формировании структур требуется удалять большое количество кремния. Эта технология может также использоваться для создания мембран или подвешенных структур при травлении кремниевых пластин.

         2. Поверхностная механическая микрообработка. Этот класс травления в первую очередь касается подложек кремния на изоляторе (SOI) или кремния на металле (SOM). Промежуточный слой (диэлектрик или металл)

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector