Использование фоторезиста

 

Использование фоторезиста в качестве маскирующего покрытия при проведении данного процесса травления Si не всегда удовлетворяет требованию к селективности, поскольку, во-первых, применение кислорода увеличивает скорость удаления фоторезиста, во-вторых, в процессе присутствует физическая составляющая. Поэтому в качестве маски в этом процессе обычно используют диоксид кремния или металлические пленки. Даже в случае применения SiO2 селективность к маске редко превышает 20:1 при скоростях травления Si от нескольких сотен нанометров в минуту до 1 мкм/мин. Очевидно, что данный механизм травления ограничивает его применение в процессах формирования глубоких анизотропных канавок и может быть применен только для травления структур глубиной менее 20 мкм.

Для более глубокого анизотропного травления кремния (от 20 мкм до нескольких сотен микрон) применяют другие механизмы, в частности процесс травления проводят при пониженных температурах (Т = -1100 С, так называемый «крио» процесс) в той же газовой смеси. Или применяют «Bosch» процесс, используя другие газовые системы.

Рассмотрим одну из таких газовых смесей: SF6 + CF4.

Данный механизм травления представляет собой чередующиеся стадии травления и осаждения полимерной пленки. Прежде, чем начнется процесс полимеризации пленки, происходит диссоциация молекул рабочего газа CF4 на ионы и радикалы (уравнение 6.9), которые участвуют в реакциях полимеризации, приводящие к осаждению пассивирующего слоя:

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector