Разбаланс процесса в сторону увеличения полимеризации

Из уравнения видно, что ионная бомбардировка не вносит основной вклад в процесс травления, который носит химический характер. Однако из уравнения (6.5) следует, что в удалении пассивирующей пленки SiOn главную роль играют ионы. Кроме того, удаление SiOxFy происходит в результате физического распыления с образованием SiFxи SOx после ионностимулированной реакции с SxFy. Кроме того, ионный поток управляет анизотропией процесса травления вследствие его направленности. При этом следует отметить, что процессы пассивации поверхности, удаления полимерной пленки и травления кремния происходят одновременно и должны быть сбалансированы таким образом, чтобы обеспечить вертикальный профиль формируемого элемента (рисунок 6.11).

Разбаланс процесса в сторону увеличения полимеризации приведет к снижению скорости травления или даже к остановке процесса травления. Недостаточное пассивирование поверхности вызовет снижение анизотропии за счет увеличения бокового подтравливания Si. С увеличением толщины полимерного слоя возникает необходимость использования относительно высоких энергий ионной бомбардировки (порядка нескольких сотен эВ) для его  удаления с кремниевой поверхности. Из этого следует, что для травления Si  требуется  физическая  составляющая процесса.  Стоит обратить внимание на тот факт, что если пассивирующий слой будет удален не полностью, то на дне канавки может образоваться структура в виде «травы» (эффект «черного кремния»).

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector