Температура в реагирующей системе

Температура в реагирующей системе оказывает определяющее влияние на скорости плазмохимического травления. Так, в случае травления пленок углерода в кислородной плазме при постоянных прочих параметрах разряда рост температуры реагирующей поверхнос­ти от 500 до 600 К приводил к увеличению скорости ПТ в три раза. Кроме того, температурное воздействие на обрабатываемые в плазме полу­проводниковые структуры приводит к нежелательным результатам, например, к деградации электрофизических параметров микросхем, раз­рушению фоторезистивной маски и т.д. Поэтому в процессах ПТ очень важно осуществлять контроль и стабилизацию температуры.

      Многочисленные эксперимен­тальные данные свиде­тельствуют о том, что зависи­мость скорости плазменного травления от температуры описывается выражением, подоб­ным выражению Аррениуса:

 

,                      

где а меняется при изменении условий в плазме.

    Обычно эмпирические энергии активации невелики, не более не­скольких десятых электрон-вольт на молекулу.

    Очевидно, что ес­ли электроды, на которых расположены образцы, не термостатированы, то температура на них будет функцией времени обработки в плазме, причем, с момента зажигания разряда тем­пература будет поднимается до квазистационарной величины, соответствую­щей заданным условиям. Скорость ПТ также будет зависеть от вре­мени обработки в плазме.

            В несимметричных системах, работающих при пониженном дав­лении, связь температуры  с рассеиваемой на ВЧ-электроде мощностью определяется  выражением:

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector