Особенностью создания трехмерных элементов схем с высоким разрешением

Особенностью создания трехмерных элементов схем с высоким разрешением является тот факт, что при облучении их плазмой наблюдается много новых, отсутствующих при обработке плоских поверхностей, явлений, к которым можно отнести эффекты аспектного отношения, электронного и ионного затенения, дифференциальной зарядки различных поверхностей и др. В силу этого геометрия и размеры формируемых микроструктур, а также электрическая природа их боковых стенок (изолятор или проводник) являются ключевыми параметрами в определении протекающих внутри микроструктуры процессами. Для микроструктур, представляющих в данном случае интерес, ширина W и глубина D формируемой структуры находятся в диапазоне 0,1 – 10 мкм (аспектное соотношение при этом 10-50). Длина свободного пробега молекул газа при низком давлении составляет несколько миллиметров. Следовательно, транспорт молекул в микроструктуре не определяется газофазными столкновениями частиц, но задается множественными столкновениями со стенками микроструктуры и, возможно, поверхностной диффузией и дифференциальной зарядкой боковых стенок (см.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector