Методика разработки процессов плазменного травления для формирования трехмерных структур

В настоящее время с ростом сложности выполняемых операций и изменением характеристик используемого оборудования при изготовлении полупроводниковых приборов  и элементов МСТ возрастают требования к качеству применяемых плазменных технологий и методологии их разработки.

В данной главе предлагается анализ и на его основе классификация наиболее типичных проблем, возникающих при разработке новой технологии плазменного формирования трехмерных структур, а также методология выбора наиболее эффективных способов их решения.

 

5.1 Выбор аппаратной базы для процесса плазменного травления

Первым и наиболее существенным шагом в данном направлении является оценка возможностей имеющегося оборудования, сопоставление их с требованиями к параметрам разрабатываемых процессов и принятие решения о возможности продолжения работы с имеющейся аппаратной базой или разработка более совершенных ее вариантов. Основная сложность данной задачи заключается в том, что изменение уровня сложности изделий требует соответственной модернизации технологий их изготовления, которая, в свою очередь, опирается на изменение физических принципов и конструкции используемого оборудования. При этом общими требованиями к скорости травления различных слоев в режиме индивидуальной обработки пластин является приближение ее к величине 1 мкм/мин или даже более при однородности травления не хуже 98%. Также следует помнить, что речь идет о формировании трехмерных структур с размерами менее 0,2 мкм с заданной геометрией профиля. Одновременно для обеспечения требуемой селективности травления различных слоев во многих случаях необходимо при проведении плазменной обработки обеспечить независимое управление плотностью ионного потока и энергией ионов.

Сравнительные характеристики типичных современных источников высокоплотной плазмы низкого давления различных производителей и различного принципа действия представлены в таблице 5.1.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector